Применение технологии УФ-отверждения в процессе производства фотоэлектрических кремниевых пластин

Фотоэлектрические кремниевые пластины являются основным материалом солнечных элементов, и процесс их производства требует использования различных химических веществ и клеев. Традиционный метод отверждения требует использования ультрафиолетовых ламп, которые не только имеют большой объем, но и потребляют большую энергию. В последние годы, с развитием технологии UVLED, все больше и больше предприятий по производству фотоэлектрических кремниевых пластин начали внедрять технологию отверждения UVLED, которая имеет преимущества низкого энергопотребления, высокой эффективности, безопасности и защиты окружающей среды.

Основной принцип технологии отверждения UVLED

UVLED отверждение-это технология, которая использует ультрафиолетовое излучение, излучаемое UVLED, для отверждения клея. Когда ультрафиолетовый свет светит на поверхность клея, мономеры и низкомолекулярные вещества в клее подвергаются реакциям сшивки, образуя высокомолекулярные полимеры, что делает клей прочным и долговечным. Технология отверждения UVLED имеет следующие характеристики:

01 Высокая эффективность: UVLED имеет высокую светоотдачу и может за короткое время завершить процесс фотоотверждения, повышая эффективность производства.

02 Низкое энергопотребление: источники света UVLED могут эффективно преобразовывать электрическую энергию в световой, что приводит к снижению энергопотребления по сравнению с традиционными УФ-лампами.

03 Безопасность и охрана окружающей среды: источники света UVLED свободны от ультрафиолетового излучения и загрязнения ртутью и безвредны для окружающей среды и операторов.

Применение UVLED фотокурирования в производстве фотоэлектрических кремниевых пластин

01 Отверждение щитов

Задняя панель является важным компонентом фотоэлектрических элементов, и ее основная функция заключается в защите компонентов батареи и обеспечении поддержки. В процессе производства необходимо прикрепить заднюю панель к элементам батареи и сделать их плотно скрепленными путем отверждения. Традиционный метод отверждения требует использования ламп, в то время как технология отверждения UVLED может обеспечить эффективный, безопасный и стабильный эффект отверждения.

02 Склеивание кремниевых пластин

В процессе производства фотоэлектрических кремниевых пластин необходимо соединить несколько кремниевых пластин вместе, чтобы улучшить выходную мощность аккумуляторных модулей. Технология отверждения UVLED может обеспечить более равномерный и эффективный эффект отверждения, тем самым улучшая качество и эффективность компонентов батареи.

03 Трансферная пленка

В процессе производства фотоэлектрических кремниевых пластин для изготовления аккумуляторных чипов также необходима переносная пленка. Традиционный метод отверждения требует использования ультрафиолетовых ламп, а технология отверждения UVLED может обеспечить более эффективный и безопасный эффект отверждения, тем самым повышая эффективность производства и качество аккумуляторных модулей.

Преимущества технологии отверждения UVLED

1. Энергосбережение и сокращение выбросов

Энергопотребление источников света UVLED более чем на 50% ниже, чем у традиционных ультрафиолетовых ламп, а источники света UVLED не содержат вредных веществ, таких как ртуть, что может значительно снизить загрязнение окружающей среды и вред.

2. Повышение эффективности производства

Технология отверждения UVLED имеет эффективные, быстрые и равномерные эффекты отверждения, которые могут повысить эффективность и качество производства.

3. Уменьшите цены производства

Источники света UVLED имеют такие преимущества, как длительный срок службы и низкие затраты на техническое обслуживание, что может снизить производственные затраты.

Появление технологии отверждения UVLED значительно способствовало прогрессу технологии производства фотоэлектрических кремниевых пластин, повышению эффективности производства и качества продукции, а также удовлетворению экологических требований. В будущем, с непрерывным развитием технологии UVLED, ее применение в производстве фотоэлектрических кремниевых пластин будет более широким.